Hersteller Produktnummer:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM2N100CP ROG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12897073
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TSM2N100CP ROG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TSM2N100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTY1R6N100D2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTY1R6N100D2-DG
Einheitspreis
1.54
ERSATZART
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